이러한 유형의 보상 장치는 SVC 분류의 TSC 하위 클래스입니다. 사이리스터는 서지 전류로 인해 손상될 수 있으므로 제로 크로싱에 의해 트리거되어야 합니다. 즉, 사이리스터 양단의 전압이 0인 순간에 트리거 신호가 방출됩니다. 제로 크로싱 트리거링 기술은 커패시터에 돌입 전류 입력을 달성할 수 없습니다. 또한 사이리스터의 무제한 트리거링 시간으로 인해 준 동적 보상(밀리초 단위의 응답 시간)을 달성할 수 있어 커패시터를 자주 전환하는 데 적합하고 자주 변화하는 부하 조건에 매우 적합합니다. 사이리스터의 전도 전압 강하는 약 1V이며, 손실이 크다(정격 용량이 100Kvar인 보상 장치를 예로 들면, 각 상의 정격 전류가 약 145A라면 사이리스터의 정격 전도 손실은 145 × 1 × 3=435W), 넓은 면적의 방열판과 환기 팬을 사용해야 합니다. 사이리스터는 전압 변화율(dv/dt)에 매우 민감하며 과전압 및 낙뢰와 같은 전압 과도 현상이 발생할 경우 서지 전류로 인해 쉽게 오해되거나 손상될 수 있습니다. 피뢰기를 설치하더라도 피크 전압을 제한할 수 있을 뿐 전압 변화율을 줄일 수는 없기 때문에 아무 소용이 없습니다.
이러한 유형의 보상 장치는 구조가 복잡하고 가격이 높으며 신뢰성이 낮고 손실이 높습니다. 부하가 자주 변하는 상황을 제외하고는 다른 상황에서는 실용 가치가 거의 없습니다.